銅、鋅、鋁、錫、不鏽鋼、鎳、鉬、鎢鋼、矽晶圓、活性碳、銦
資料來源:https://www.peopo.org/news/850609
晶片內部互連若延伸到廢銅回收(Copper Recycling),可以從半導體製造供應鏈的角度來看。由於先進製程大量使用高純度銅,製程中也會產生不少可回收的含銅廢料,因此回收已成為降低成本與提升永續性的重要議題。
晶片製造採用電鍍、化學機械研磨(CMP)與蝕刻等步驟,會產生多種含銅廢棄物,例如:
CMP研磨污泥:含有銅、矽氧化物及研磨顆粒。
蝕刻廢液:含銅離子及化學藥劑。
電鍍廢液:銅濃度通常較高,是重要的回收來源。
設備清洗廢液:含有低濃度銅離子。
報廢晶圓與測試晶圓:仍含有高純度銅互連結構。
先進封裝製程廢料:例如重佈線層(RDL)與銅柱製程所產生的邊料與殘料。
由於半導體用銅純度通常要求達 99.999%(5N)以上,因此回收價值相對較高。
依照廢料種類不同,常見技術包括:
化學沉澱法
將銅離子轉化為氫氧化銅或硫化銅,再進一步精煉。
適合中低濃度廢液。
電解回收(Electrowinning)
直接將銅離子還原成金屬銅。
可獲得純度較高的銅板,是半導體業常見方法。
離子交換與吸附
適用於低濃度含銅廢水。
可搭配樹脂重複使用。
溶劑萃取(SX)
可將銅離子濃縮後,再進行電解製程。
常用於大型回收系統。
主要有三個原因:
經濟價值高:高純度銅價格高於一般工業廢銅,回收可降低原料成本。
降低供應風險:半導體產業對高純度銅需求持續增加,回收可減少對礦產供應的依賴。
符合永續目標:銅的回收能耗通常遠低於從礦石冶煉生產新銅,可減少能源消耗與碳排放。
隨著先進封裝發展,尤其是高密度互連技術,銅的使用量持續增加,因此廢銅回收的重要性也同步提高。例如:
銅柱(Copper Pillar)製程增加電鍍銅使用量。
TSV(穿矽通孔)需要大量銅填充。
混合鍵合(Cu-Cu Hybrid Bonding)提升高純度銅材料需求。
厚銅重佈線層(RDL)增加電鍍與蝕刻過程中的含銅廢液。
這些趨勢都意味著製程中的含銅廢料量增加,促使晶圓廠與封裝廠投資更高效率的回收系統。
AI、高效能運算(HPC)與高頻寬記憶體(HBM)推動先進封裝快速成長,也使半導體產業更加重視「資源循環」。未來的趨勢不只是回收廢銅,而是建立封閉循環(Closed-loop Recycling),也就是將製程中回收的高純度銅經精煉後重新投入半導體製造,減少原生銅的使用,兼顧成本、供應鏈韌性與環境永續。